新唐科技釋出高功率紫外光雷射二極體(379 nm, 1.0 W)
日本京都2026年1月22日 /美通社/ — Nuvoton Technology Corporation Japan（以下簡稱「NTCJ」）於1月20日宣佈，開始量產其高功率紫外光半導體雷射二極體(379 nm, 1.0 W)。該產品採用直徑9.0 mm的CAN封裝(TO-9)，可實現行業領先(*)的光功率輸出。透過NTCJ專有的器件結構和先進的高散熱封裝技術，該產品實現了短波長、高功率和長壽命這三個先前被認為難以達成的紫外半導體雷射元素，有助於提升先進半導體封裝無掩模光刻的圖形化精密度和生產效率。 （*）截至2026年1月16日，基於NTCJ對波長為379 nm、TO-9 CAN封裝、在25°C殼溫(Tc)下連續波(CW)執行的半導體雷射的研究。 主視覺圖：https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108245/202601072090/_prw_PI1fl_x5FsfwAW.jpg 圖片：https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108245/202601072090/_prw_PI2fl_038KkhpF.jpg 隨著人工智慧(AI)的發展推動資訊處理能力需求增長，對半導體效能的要求較以往也在不斷提高。另一方面，隨著電晶體微縮化發展接近其物理和經濟極限，半導體後端封裝技術和先進半導體封裝技術（透過並排排列或垂直堆疊多個半導體晶片的整合方案）正引起關注。 這些封裝技術的演進，離不開無掩膜曝光技術的支援。作為無掩模光刻技術中的關鍵光源之一，半導體雷射面臨著向更短波長（接近i線365 nm）和更高輸出功率發展的不斷增長的需求，以實現更精細的線路和提高裝置產能。為滿足這些要求，NTCJ憑藉40多年的雷射設計和製造經驗，開發並商業化了波長為379 nm、輸出功率達1.0 W的紫外光半導體雷射。 紫外光半導體雷射通常存在由於低光電轉換效率(WPE)引起的顯著熱量產生問題，以及由紫外光引起的器件退化傾向，這使得在1.0 W以上的高輸出水準下實現穩定執行變得困難。為解決這一問題，NTCJ採取了雙管齊下的方法，同時專注於「提高WPE的器件結構」和「有效散熱的高熱傳導封裝技術」，成功開發出一款兼具短波長、高功率和長壽命的產品：1.0 W紫外線(379 nm)器件。這有助於延長紫外光光學器件的壽命。…